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哪些方法可以保护福建单向可控硅免受损坏呢

2021/1/16 3:00:00 来源:http://fj.combat-elec.com/news542974.html

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哪些方法可以保护福建单向可控硅免受损坏呢:

过电压保护:

晶闸管对过电压非常敏感。当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM的某个值时,晶闸管将错误地导通,从而引起电路故障;当施加的反向电压超过其反向电压时当重复的峰值电压URRM达到某个值时,晶闸管将立即损坏。因此有必要研究过电压的原因以及抑制过电压的方法。

过电压的主要原因是系统提供的电能或能量存储发生了急剧变化,从而使系统转换太迟,或者最初累积在系统中的电磁能耗散不了。主要发现由外部冲击引起的两种类型的过电压,例如由于开关的断开和闭合而引起的雷电和脉冲电压。雷击或高压断路器的作用引起的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰,这对于晶闸管是非常危险的。单向福建可控硅应用过程由开关的打开和闭合引起的脉冲电压分为以下几类:

①由交流电源的接通和断开产生的过电压

例如,由交流开关的打开和闭合引起的,交流侧保险丝的熔断等。由于变压器绕组的分布电容,谐振电路引起的泄漏电抗,电容器分压等,所以过电压值是正常值的2到10倍。通常,打开和关闭速度越快,过电压越高,在空载条件下打开电路时,过电压越高。

②直流侧产生的过电压

如果截止电路的电感较大或截止时的电流值较大,则会产生相对较大的过电压。当卸下负载,导通的晶闸管断开或快速熔断器熔断,并导致电流突然变化时,通常会发生这种情况。

单向可控硅,MOS管
③换向脉冲电压

包括换向过电压和换向振荡过电压。当晶闸管的电流降至零时,换向过电压是由器件内部每个结层中残余载流子的复合引起的,因此也称为由载流子累积效应引起的过电压。在换向过电压之后,出现换向振荡过电压,它是由电感和电容器的谐振产生的振荡电压,其值与换向后的反向电压有关。反向电压越高,换向振荡过电压越大。

对于过电压的不同原因,可以采用不同的抑制方法,例如减少过电压的来源和衰减过电压的幅度;抑制过电压能量上升的速度,延迟所产生能量的耗散速度,并增加耗散方式;使用电子电路进行保护等。目前,最常用的方法是在回路中插入能量吸收组件以耗散能量,通常将其称为吸收回路或缓冲电路。

④电阻电容吸收电路

通常,单向可控硅过电压具有较高的频率,因此通常将电容器用作吸收组件。为了防止振荡,通常添加阻尼电阻以形成电阻电容吸收电路。电阻电容吸收电路可以连接到电路的AC侧,DC侧,也可以并联在晶闸管的阳极和阴极之间。吸收电路最好使用无感电容器,并且接线应尽可能短。

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