博昌达电子科技有限公司为您免费提供福建松翰单片机,福建NIKOSEM,福建单向可控硅等相关信息发布和最新资讯,敬请关注!
福建MOS管选型方法主要分为哪些:
①明确规定
在明确电流以后,就需要测算系统软件的排热规定。设计方案工作人员务必考虑到二种不一样的状况:最坏状况和具体情况。提议选用对于最坏状况的数值,由于这一結果出示更高的安全性容量,能保证 系统软件不容易无效。在MOS管的材料表里也有一些必须留意的精确测量数据信息,例如封裝元器件的半导体材料结与自然环境中间的传热系数,及其较大 的结温。
元器件的结温相当于较大 工作温度再加上传热系数与输出功率损耗的相乘,即结温=较大 工作温度+(传热系数×输出功率损耗)。依据这一方程组能解出系统软件的至大功率损耗=I2×RDS(ON)。
因为设计方案工作人员已明确即将根据元器件的较大 电流,因而能够测算出不一样溫度下的RDS(ON)。特别注意的是,在解决简易热实体模型时,设计方案工作人员还务必考虑到半导体材料结/元器件机壳及机壳/自然环境的热导率;即规定印刷线路板和封裝不容易马上提温。
雪崩击穿(指半导体元器件上的反方向工作电压超出最高值,并产生强静电场使元器件内电流提升)产生的电流将损耗输出功率,使元器件溫度上升,并且有可能毁坏元器件。半导体公司都是会对元器件开展山崩检测,测算其山崩工作电压,或对元器件的稳健性开展检测。
②明确电源开关特性
选择MOS管的最后一步是明确其电源开关特性。危害电源开关特性的主要参数有很多,但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容器。由于在每一次电源开关时必须对这种电容器电池充电,会在元器件中造成开关损耗;MOS管的电源开关速率也因而被减少,元器件高效率随着降低;在其中,栅极正电荷(Qgd)对电源开关特性的危害较大 。
为测算电源开关全过程中元器件的总耗损,设计方案工作人员务必测算启用全过程中的耗损(Eon)和关掉全过程中的耗损(Eoff),从而计算出MOS管电源开关总输出功率:Psw=(Eon+Eoff)×电源开关頻率。
③封裝要素考虑
不一样的封裝规格MOS管具备不一样的传热系数和损耗输出功率,必须考虑到系统软件的排热标准和工作温度(如是不是有风冷、热管散热器的样子和尺寸限定、自然环境是不是封闭式等要素),基本准则便是在确保输出功率MOS管的升温和系统软件高效率的前提条件下,选择主要参数和封裝更通用性的输出功率MOS管。
博昌达电子科技专业提供福建松翰单片机,福建NIKOSEM,福建单向可控硅,双向可控硅,MOS管,场效应管等产品,博昌达谨守“以高质量的产品,高素质的技术服务,切实保证客户产品质量以及低成本”的原则,以丰富的专业知识和热情的服务态度,为客户提供方便快捷的专业技术支持和售后服务!
微信公众号
博昌达电子科技专业提供福建松翰单片机,福建NIKOSEM,福建单向可控硅,双向可控硅,MOS管,场效应管等产品,博昌达谨守“以高质量的产品,高素质的技术服务,切实保证客户产品质量以及低成本”的原则,以丰富的专业知识和热情的服务态度,为客户提供方便快捷的专业技术支持和售后服务!
CopyRight © 2020 版权所有 深圳市博昌达电子科技有限公司