福建MOS管选型方法主要分为什么

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福建MOS管选型方法主要分为哪些：

①明确规定

在明确电流以后，就需要测算系统软件的排热规定。设计方案工作人员务必考虑到二种不一样的状况：最坏状况和具体情况。提议选用对于最坏状况的数值，由于这一結果出示更高的安全性容量，能保证 系统软件不容易无效。在MOS管的材料表里也有一些必须留意的精确测量数据信息，例如封裝元器件的半导体材料结与自然环境中间的传热系数，及其较大 的结温。

元器件的结温相当于较大 工作温度再加上传热系数与输出功率损耗的相乘，即结温=较大 工作温度+（传热系数×输出功率损耗）。依据这一方程组能解出系统软件的至大功率损耗=I2×RDS(ON)。

因为设计方案工作人员已明确即将根据元器件的较大 电流，因而能够测算出不一样溫度下的RDS(ON)。特别注意的是，在解决简易热实体模型时，设计方案工作人员还务必考虑到半导体材料结/元器件机壳及机壳/自然环境的热导率；即规定印刷线路板和封裝不容易马上提温。

雪崩击穿（指半导体元器件上的反方向工作电压超出最高值，并产生强静电场使元器件内电流提升）产生的电流将损耗输出功率，使元器件溫度上升，并且有可能毁坏元器件。半导体公司都是会对元器件开展山崩检测，测算其山崩工作电压，或对元器件的稳健性开展检测。

②明确电源开关特性

选择MOS管的最后一步是明确其电源开关特性。危害电源开关特性的主要参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容器。由于在每一次电源开关时必须对这种电容器电池充电，会在元器件中造成开关损耗；MOS管的电源开关速率也因而被减少，元器件高效率随着降低；在其中，栅极正电荷(Qgd)对电源开关特性的危害较大 。

为测算电源开关全过程中元器件的总耗损，设计方案工作人员务必测算启用全过程中的耗损(Eon)和关掉全过程中的耗损(Eoff)，从而计算出MOS管电源开关总输出功率：Psw=(Eon+Eoff)×电源开关頻率。

③封裝要素考虑

不一样的封裝规格MOS管具备不一样的传热系数和损耗输出功率，必须考虑到系统软件的排热标准和工作温度（如是不是有风冷、热管散热器的样子和尺寸限定、自然环境是不是封闭式等要素），基本准则便是在确保输出功率MOS管的升温和系统软件高效率的前提条件下，选择主要参数和封裝更通用性的输出功率MOS管。

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