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先任测2个极,若正、反测表针均没动(R&TImes;1挡),可能是A、K或G、A极(对单向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G极(对双向可控硅)。若在其中有一次精确测量标示为几十至好几百欧,则必为单向可控硅。且记号笔所接为K极,黑笔接的为G极,剩余即是A极。若正、反方向测批复均为几十至好几百欧,则必为双向可控硅。再将旋纽拨至R&TImes;1或R&TImes;10挡进行复测,在其中必有一次电阻值稍大,则稍大的一次记号笔接的为G极,黑笔所接为T1极,剩下是T2极。
单向可控硅与双向可控硅性能的区别:
将旋纽拨至R×1挡,针对1~6A单向可控硅,记号笔接K极,黑笔另外接入G、A极,在维持黑笔不摆脱A极情况下断掉G极,表针应标示几十欧至一百欧,这时晶闸管已被开启,且开启工作电压低(或开启电流量小)。随后瞬时速度断掉A极再接入,表针应退还∞部位,则说明晶闸管优良。
若维持接入A极或T2极时断掉G极,表针马上退还∞部位,则表明晶闸管开启电流量很大或毁坏。可按图2方式进一步精确测量,针对单向可控硅,合闭电源开关K,灯应发光,断掉K灯仍不断灭,不然表明晶闸管毁坏。
针对双向可控硅,合闭电源开关K,灯应发光,断掉K,灯应不断灭。随后将充电电池反接,反复所述流程,均应是同一結果,才表明是好的。不然表明该元器件损坏。
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